10GHz帯 プリアンプ パーツ実装基板

LNA-10G2-C

5,400円(税込5,832円)

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この製品は高周波回路を理解できる方向きです。

10GHz帯マイクロストリップライン・プリアンプ
この商品はパーツ実装基板です。 (FETは別売)

テフロン基板採用 金メッキ仕様

高利得でローノイズプリアンプです。
*対応ケース:PW2400CASE-SET


パーツ付基板の製作例

まず初めに基板にFET(NE3515S02)を取り付けます。
FETは静電気に弱いので、取り付けには十分注意してください。
はじめにFETのソースをグランドパターンにつけます。
このときハンダを十分しっかり付けてください。
ドレイン、ゲートと付けると良いでしょう。

基板をケースに取り付けます。VCCと貫通コンを接続します。
電源を接続したら、各部の電圧を測定します。
・78M33の出力側が3.3Vであること。
・7660の出力側(5番ピン)が−3Vであること。

1. 調整は10KΩのVRでパワーが最大のところにバイアスを調整します。
そのときにドレイン電流が10〜30mAでしたら正常です。ドレイン電流の測定は、ドレイン抵抗の両端電圧で測定します。
もし値が大幅に外れているときは、FETのハンダ付けを見直してください。
それでも駄目なときは、FETを交換してください。
調整を何度か繰り返し、最良点を見つけてください。

*FETは10GHz帯用であれば、多くの種類が使用できます。
例:FHX35LG,FHX76LP,NE3210S01,MGF1302,NE76084等
*FET、ケース、コネクターは別売になります。
*基板の製作調整には、SG、スペアナ等の測定機が必要です。
*受注生産品 納期はお問い合わせください

調整でNF1.0以下、ゲイン20dB以上の高性能プリアンプが製作できます。

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