10GHz帯 プリアンプ パーツ実装基板

LNA-10G2-C

5,400円(税込5,832円)

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この製品は高周波回路を理解できる方向きです。

１０ＧＨｚ帯マイクロストリップライン・プリアンプ
この商品はパーツ実装基板です。 (FETは別売）

テフロン基板採用　金メッキ仕様

高利得でローノイズプリアンプです。
＊対応ケース：PW2400CASE-SET


パーツ付基板の製作例

まず初めに基板にＦＥＴ（ＮＥ３５１５Ｓ０２）を取り付けます。
ＦＥＴは静電気に弱いので、取り付けには十分注意してください。
はじめにＦＥＴのソースをグランドパターンにつけます。
このときハンダを十分しっかり付けてください。
ドレイン、ゲートと付けると良いでしょう。

基板をケースに取り付けます。ＶＣＣと貫通コンを接続します。
電源を接続したら、各部の電圧を測定します。
・７８Ｍ３３の出力側が３．３Ｖであること。
・７６６０の出力側（５番ピン）が−３Ｖであること。

１．　調整は１０ＫΩのＶＲでパワーが最大のところにバイアスを調整します。
そのときにドレイン電流が１０〜３０ｍＡでしたら正常です。ドレイン電流の測定は、ドレイン抵抗の両端電圧で測定します。
もし値が大幅に外れているときは、ＦＥＴのハンダ付けを見直してください。
それでも駄目なときは、ＦＥＴを交換してください。
調整を何度か繰り返し、最良点を見つけてください。

＊ＦＥＴは１０ＧＨｚ帯用であれば、多くの種類が使用できます。
例：FHX35LG,FHX76LP,NE3210S01,MGF1302,NE76084等
＊FET、ケース、コネクターは別売になります。
＊基板の製作調整には、ＳＧ、スペアナ等の測定機が必要です。
＊受注生産品　納期はお問い合わせください

調整でＮＦ１．０以下、ゲイン２０ｄＢ以上の高性能プリアンプが製作できます。

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