1.2GHz高出力パワーモジュール RA18H1213G

RA18H1213G

8,600円(税込9,288円)

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新型の1.2GHz用高出力パワーモジュール

FEATURES
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors
(IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>18W, hT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
• Broadband Frequency Range: 1.24-1.30GHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=5V
• Module Size: 66 x 21 x 9.88 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain
current with the gate voltage and controlling the output power

実験等、詳しくは下記のホームページをご覧下さい。
1200MHzMosモジュールアンプの製作

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