高周波増幅用MosFET NE552R479A

NE552R479A

1,000円(税込1,080円)

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高周波増幅用 MosFET 在庫限りの販売です

FEATURES
• High output power : Pout = 26.0 dBm TYP. (VDS = 3.0 V, IDset = 200 mA, f = 2.45 GHz, Pin = 19 dBm)
• High power added efficiency : ηadd = 45% TYP. (VDS = 3.0 V, IDset = 200 mA, f = 2.45 GHz, Pin = 19 dBm)
• High linear gain : GL = 11 dB TYP. (VDS = 3.0 V, IDset = 200 mA, f = 2.45 GHz, Pin = 10 dBm)
• Surface mount package : 5.7 × 5.7 × 1.1 mm MAX.
• Single supply : VDS = 2.8 to 3.8 V


弊社、パワーアンプに採用、修理、保守用に。

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